DDR測(cè)試,開(kāi)放式硬件實(shí)驗(yàn)室


　　DDR3相較于DDR2而言主要有如下幾個(gè)特點(diǎn)：
　　1.突發(fā)長(zhǎng)度（Burst Length，BL）：由于DDR3的預(yù)取為8bit，突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。
　　2.尋址時(shí)序（Timing）：就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的**也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0～4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)-寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。


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