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DDR測試,開放式硬件實(shí)驗(yàn)室

單價(jià): 面議
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發(fā)布時(shí)間: 2023-12-20 02:06
最后更新: 2023-12-20 02:06
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DDR測試,開放式硬件實(shí)驗(yàn)室


  DDR3相較于DDR2而言主要有如下幾個(gè)特點(diǎn):
  1.突發(fā)長度(Burst Length,BL):由于DDR3的預(yù)取為8bit,突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
  2.尋址時(shí)序(Timing):就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的**也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0~4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)-寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。


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